“CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF)，在各种负载条件下都表现出更高的效率。

”

极高的效率和性价比

CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Q_c x V_F)，在各种负载条件下都表现出更高的效率。

特征描述

• 极低的 V_F：1.25V
• 同类产品中极其优秀的品质因数 (Q_c x V_F)
• 无反向恢复电荷
• 与温度无关的开关行为
• 高 dv/dt 稳定性
• 优化热性能

优势

• 提高各种负载条件下的配置总线效率
• 增加系统功率密度
• 降低冷却要求，提高系统可靠性
• 支持超快速开关轻松有效匹配 CoolMOS™ 7 系列产品
• 优秀的性价比

潜在应用

• 服务器
• 通信
• 计算机电源
• 太阳能
• 照明