“三菱电机集团近日宣布，将于12月26日开始提供两款新的S1系列高压绝缘栅双极型晶体管（HVIGBT）模块样品，这两款模块额定电压均为1.7kV，适用于铁路车辆和直流输电等大型工业设备。得益于三菱电机专有的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片和绝缘结构，新模块实现了出色的可靠性、低功率损耗和低热阻，有望提高大型工业设备中逆变器的可靠性和效率。

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三菱电机集团近日（2024年12月23日）宣布，将于12月26日开始提供两款新的S1系列高压绝缘栅双极型晶体管（HVIGBT）模块样品，这两款模块额定电压均为1.7kV，适用于铁路车辆和直流输电等大型工业设备。得益于三菱电机专有的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片和绝缘结构，新模块实现了出色的可靠性、低功率损耗和低热阻，有望提高大型工业设备中逆变器的可靠性和效率。

S1系列HVIGBT模块

凭借高效的电能转换能力，功率半导体正越来越多地被用于助力实现更加低碳的社会。功率半导体模块可用于大型工业设备的电力转换装置，如铁路牵引系统、电源和直流输电中的逆变器。为进一步提高电力装置转换效率，市场对高功率、高效率功率半导体的需求日益增长。此外，功率半导体模块还必须具有高绝缘电压能力以确保可靠性，降低逆变器内部发生短路和泄漏电流的风险，从而提高安全性。

三菱电机的1.7kV HVIGBT模块自1997年发布以来，凭借其卓越的性能和高可靠性而广受好评，并已广泛应用于电力系统的逆变器中。

新的S1系列模块采用了三菱电机专有的RFC（Relaxed Field of Cathode）二极管，与之前的型号*相比，反向恢复安全工作区（RRSOA）扩大了2.2倍，从而提高了逆变器的可靠性。此外，该模块还使用了具有载流子存储式沟槽栅双极型晶体管（CSTBT™**）结构的IGBT芯片，有助于降低功率损耗和热阻，使逆变器更加高效。而且，三菱电机专有的绝缘结构将模块的绝缘电压提高到了6.0kVrms，是之前产品*的1.5倍，使模块的绝缘能力可以灵活的兼容多种类型的逆变器。

产品特点

专有RFC二极管和IGBT元件，以及CSTBT™结构，实现可靠高效的逆变器

• 采用专有RFC二极管，与现有型号*相比，反向恢复安全工作区（RRSOA）提高了2.2倍，从而提升了逆变器的可靠性，扩大了在开关过程中反向恢复电流和反向电压的安全工作保证范围。

• 采用RFC二极管与CSTBT™结构IGBT芯片，可降低功率损耗和热阻，进而提高逆变器的效率。

1.5倍更高的绝缘电压，兼容多种逆变器

• 三菱电机专有的绝缘结构将绝缘电压提高到6.0kVrms，是现有产品*的1.5倍，从而提高了绝缘设计的灵活性，以兼容多种类型的逆变器。

与现有产品*尺寸兼容，简化逆变器设计

• 通过保持与现有产品*相同的外部尺寸，功率模块可以轻松替换，从而简化和缩短新逆变器设计的过程。

主要规格


网站

有关功率器件的更多信息，请访问www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/powerdevices/ 

* 与CM1200DC-34N、CM1200E4C-34N和CM1200DC-34S相比较
** 三菱电机专有的具有载流子存储效应的IGBT芯片结构
*** CSTBT™是三菱电机株式会社的商标